北京捷造光电技术有限公司
特 性
- 最大12英寸的RF/VHF-PECVD，利用等离子体化学气相沉积过程，在12英寸工件表面沉积微电子器件用的薄膜，可沉积非晶硅、微晶硅、氧化硅、或硅的氮氧化物等薄膜，多工位全自动操作，多路气源选项，广泛应用于材料研究、光伏等领域科研研究和中试生产。
- 带内置热壁的升降地电极，可控制气流分布、局域等离子体放电范围、提高沉积均匀性
- 全自动双面多片连续沉积
参 数
JPE12S4 四工位 3 工艺室 12 英寸全自动 PECVD
| 名称 | 描述 | 数量 |
|---|---|---|
| 工艺腔室 | 全铝真空室，自动翻盖，上喷淋电极，下电极可升降，带内置热壁 | 3 |
| 加热缓冲室 | 铝腔室，可加热350℃，可缓存一片工件 | 1 |
| 工件 | 最大有效尺寸不小于12" | 片盒可缓存5-10片 |
| 加热温度 | 地电极和可调节热壁，350℃ | |
| 电极间距 | 8-28 | |
| RF/VHF电源 | 13.56MHz/40.68MHz | 3 |
| 特气柜 | 工艺腔MFC 5-6-6路，两通道进工艺腔 | 3 |
| 压力控制 | 薄膜规+变通导阀，稳定压力0.1-10Torr | 3 |
| 极限真空 | ≤3×10-4Pa | |
| 工件翻面 | 大气环境全自动机械手操作 | 1 |
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产品图片
JPE12S4